Profilometer for stress measurement
FLX 2320 S
1. For industry
2. Mass production
3.Thin film stress measurement
4. Temperature from -65 ° C to 500 ° C
5. Fast
Toho FLX-2320-S Thin Film Stress Measurement Systems offer industry standard capabilities for serial and research installations that require precise strain measurements on various films and substrates up to 200 mm in diameter. Integrating the patented “Dual Wavelength” technology patented by KLA, the tools of the Toho FLX series determine and analyze the surface stresses caused by the thin films deposited. Toho FLX systems offer exceptional value in a variety of comprehensive stress measurement solutions that use advanced measurement principles.
Optical profilometry
Specifications
| Magnification | x20 ~ x150,000 (Effective :~ x80,000) |
|---|---|
| Accelerating Voltage | 1kV to 30kV |
| Electron Gun | Tungsten Filament(w) |
| Detector | SE Detector, BSE Detector, EDS |
| Stage |
X: 35mm (Motorized)，Y: 35mm (Motorized) T: 0 to 45° (Motorized)，R: 360° ，Z: 5 to 50mm(Manual) |
| Maximum Sample Size | 45mm (H)，60mm (Diameter) |
| Image Mode(pixel) |
· RDE (320x240), TV (640x480), Slow (800x600) · Photo (1280x960, 2560x1920, 5120x3840) |
| Frame Rate |
· RDE (MAX. 30 frames/sec) · TV (MAX. 10 frames/sec) · Slow (MAX. 2 frames/sec) |
| Vacuum System | Turbo Molecular Pump (Less than 3min) |
| Auto Functions | Auto Focus, Contrast, Brightness, |
| OS | · Windows7 |
EDS
| System Resolution | Mn K 133eV standard 129 eV premium |
|---|---|
| Chip Size | 30 mm² |
| Window | Si3N4 <100 nm thick |
| Cooling System | Peltier |
| Detection Range | Be to Am |
| X-ray Input | 1 Mcps/channel |
| Throughput (Stored Counts) | 300 kcps/channel |
| Peak To Background | 10,000 : 1 |
| Resolution Stability | 90% up to 200 kcps |
| eV/Channel | 10 eV/ch |
| Power Requirements |
· 5 W max - detector only · 10 W max - with DPP box |
| Input Voltage |
· 100 - 240 VAC. · 47 - 63 Hz |
Applications in stress measurement
In general, a stress is induced when materials with different coefficients of thermal expansion are linked to each other. Films can behave the same way at high temperatures, but as the films are cooled, the materials can contract / expand differently, causing stress on the film. With a stressed film, defects such as delamination, voids and cracks can occur. The FLX stress measurement system facilitates troubleshooting of the applications listed below:
- Aluminum stress induced emptying
- Cracking by passivation (nitride oxide)
- Stress-induced dislocations in the cracking of tungsten silicide Si
- Increased stress of oxides during temperature cycling
More info on applications
- Surface science
- Science of materials
- Solar cells
- Materials for energy
- Semiconductors
- Polymers and Composites
- Surface roughness
- Coatings
Applications sur la microscopie
Électronique à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
ioshsdioh
Optical profilometry for stress measurement
With thermal cycling and automatic room rotation models available, Toho FLX thin film strain measurement systems offer standard capabilities for mass production and research facilities that require precise strain measurements on various films and substrates . Integrating the patented “Dual Wavelength” technology patented by KLA-Tencor, the tools of the Toho FLX series determine and analyze with precision the surface constraints generated by the thin films deposited. In situ stress measurements can be made from -65 ° C to 500 ° C at heating rates up to 30 ° C per minute (the cooling unit at -65 ° C is optional). An understanding of stress variations as a function of temperature is essential to characterize the properties of the material such as stress relaxation, humidity evolution and phase changes.
Comprehensive data analysis
Intuitive Windows 7-based analysis software displays any combination of stress, time, surface deviation, or intensity of reflected light.
- Calculation of the biaxial elasticity modulus, the coefficient of linear expansion, the uniformity of the stresses and the subtraction of files
- Trend Plot for Statistical Process Control (SPC)
- Calculation of the water diffusion coefficient in dielectric films
Automatic stress recalculation when the film or substrate thickness is corrected
- 2D and 3D views of the wafer topography
- Plot of the stress-temperature curve measured Advanced laser technology
ADVANTAGES
- For industry
- Mass production
- Thin film stress measurement
- Temperature from -65 ° C to 500 ° C
- Fast
The FLX series includes KLA's patented dual wavelength technology, which allows the system to select the wavelength best suited for difficult films such as silicon nitride. A single moving element in the optical component guarantees low vibrations and high precision.
FLX stress measurement systems use the laser lever technique to measure changes in surface radii before and after displacement, and then correlate these measurements to a stress value
Temperature measurements are essential to characterize the properties of materials, such as stress relaxation, humidity evolution and phase changes. Specially designed for thermal stress applications, the 2320-S is ideal for stress temperature correlations. Capable of measuring stresses in situ from -65 ° C to 500 ° C with heating rates up to 30 ° C per minute. The cooling unit that uses LN2 at -65 ° C is optional.
Specifications
Tête XP
Le système Nano Indenter G200 est alimenté par un transducteur électromagnétique pour assurer des mesures précises. La conception unique du transducteur évite les artefacts de déplacement latéral. La tête d'indentation XP standard est équipée d'une capacité de chargement de 500 mN, offrant une résolution de déplacement <0,01 nm (10 h) et une profondeur d'indentation maximale de 500 μm.
Performance
| Scan Range | |
|---|---|
| Measurement Range | 1 to 4,000MPa1 |
| Repeatability | 1.3MPa2 |
| Accuracy | Less than 2.5% or 1 MPa (whichever is larger) |
| Minimim Radius | 2.0m |
| Maximum Radius | 33km |
| Wafer Sizes (mm) | 25, 50, 75, 100, 150, 200mm |
| Minimum Scan Step | 0.02mm |
| Compliance | Class IIIa 670nm / 780nm 4mW lasers compliant with 21CFR, Chapter 1 Subchapter J |
Notes:
1 :725μm wafer thickness for 10,000Å thin film
2 :(1s): 1 x l07 dyne/cm2
Options
- 3D Analysis Software
- Calibration Mirror Standards
- Calibration Wafer Standards
- Sub Ambient (-65°C) capability
- Substrate Adaptor Rings 25mm to 150mm
- Gas Panel with all flow meters and pressure gauges
- Offline Software
Accessories
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Specifications
| Magnification | x20 ~ x150,000 (Effective :~ x80,000) |
|---|---|
| Accelerating Voltage | 1kV to 30kV |
| Electron Gun | Tungsten Filament(w) |
| Detector | SE Detector, BSE Detector, EDS |
| Stage |
X: 35mm (Motorized)，Y: 35mm (Motorized) T: 0 to 45° (Motorized)，R: 360° ，Z: 5 to 50mm(Manual) |
| Maximum Sample Size | 45mm (H)，60mm (Diameter) |
| Image Mode(pixel) |
· RDE (320x240), TV (640x480), Slow (800x600) · Photo (1280x960, 2560x1920, 5120x3840) |
| Frame Rate |
· RDE (MAX. 30 frames/sec) · TV (MAX. 10 frames/sec) · Slow (MAX. 2 frames/sec) |
| Vacuum System | Turbo Molecular Pump (Less than 3min) |
| Auto Functions | Auto Focus, Contrast, Brightness, |
| OS | · Windows7 |
EDS
| System Resolution | Mn K 133eV standard 129 eV premium |
|---|---|
| Chip Size | 30 mm² |
| Window | Si3N4 <100 nm thick |
| Cooling System | Peltier |
| Detection Range | Be to Am |
| X-ray Input | 1 Mcps/channel |
| Throughput (Stored Counts) | 300 kcps/channel |
| Peak To Background | 10,000 : 1 |
| Resolution Stability | 90% up to 200 kcps |
| eV/Channel | 10 eV/ch |
| Power Requirements |
· 5 W max - detector only · 10 W max - with DPP box |
| Input Voltage |
· 100 - 240 VAC. · 47 - 63 Hz |
Applications sur la microscopie
Électronique à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
ioshsdioh
Microscope MEB de table, Solution complète MEB-EDS avancée
1. MEB-EDS tout en un
2. Interface utilisateur intuitive
3. Fonctions automatiques
- Support échantillon motorisé 3 axes (X, Y, T)
- Mise au point automatique, contraste,
luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
ADVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
Microscope MEB de table,
Solution complète MEB-EDS avancée
1. MEB-EDS tout en un
2. Interface utilisateur intuitive
3. Fonctions automatiques
- Support échantillon motorisé 3 axes (X, Y, T)
- Mise au point automatique, contraste,
luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
ADVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
ADVANTAGES
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- GROSSISSEMENT
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- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
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luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
ADVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
ADVANTAGES
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- GROSSISSEMENT
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- Facile d'utilisation
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luminosité, alignement du canon à électron
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5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
ADVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
ADVANTAGES
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ADVANTAGES
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- GROSSISSEMENT
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- Facile d'utilisation
ADVANTAGES
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4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
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7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
ADVANTAGES
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
ADVANTAGES
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- Mise au point automatique, contraste, luminosité, alignement du canon à électron
4. Taille maximum d'échantillon jusqu'à 60mm en diamètre et 45mm en hauteur
5. Grossissement de x20 à x150 000
6. Navigation facile avec le «Navigation Mode»
7. Contrôle précis avec un joystick et le «Driving Mode»
8. Détecteur BSE intégré et mode LV (Low Vacuum) disponible
Applications
sur la microscopie
Électronique
à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
The applications include both the fault process, dimensional analysis, the characterization process, reverse engineering and particle identification ... this is why the fields of application are multiple and very broad:
APPLICATIONS 1
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
APPLICATIONS 1
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
Applications
sur la microscopie
Électronique
à balayage
_ Semi-conducteurs et électronique
_ Chimie
_ Métaux
_ Énergie
_ Automobile
_ Avionique
_ Construction
_ Corps humain
_ Médicaments pharmaceutiques
_ Plantes et animaux
_ Microbiologie
_ Science de l'environnement
The applications include both the fault process, dimensional analysis, the characterization process, reverse engineering and particle identification ... this is why the fields of application are multiple and very broad:
APPLICATIONS 1
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
APPLICATIONS 1
- MEB haute résolution
- GROSSISSEMENT
jusqu’à x 150 000
- EDS haute performance
- Facile d'utilisation
Microscope MEB de table,
Solution complète MEB-EDS avancée
Microscope MEB de table,
Solution complète MEB-EDS avancée
Cross polisher Option MEB
Cross polisher Option MEB
Cross polisher Option MEB
Specifications
| Name 1 | |
|---|---|
| Mr. John Doe | Software Developer |
Specifications
| Name 1 | |
|---|---|
| Mr. John Doe | Software Developer |
Accessories
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